[发明专利]I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法有效
| 申请号： | 200580026662.5 | 申请日： | 2005-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1993386A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 小谷哲浩;今堀裕司 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | C08F6/00 | 分类号： | C08F6/00;B05D7/24;B32B27/30;C08F114/22;C08J5/18;C08L27/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;赵冬梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，其为含有70质量％以上的I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，该制造方法通过溶剂的选择来容易地制造含有高纯度的I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物，所述制造方法的特征在于，将数均聚合度为3～20的偏二氟乙烯均聚物溶解于仅含有偶极矩为2.8以上的有机溶剂中、或溶解于含有偶极矩为2.8以上的有机溶剂作为一部分的溶剂中，然后将该溶剂蒸发。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 结构 偏二氟 乙烯 均聚物 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种偏二氟乙烯均聚物的制造方法，其为含有70质量％以上的I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，所述制造方法的特征在于：将数均聚合度为3～20的偏二氟乙烯均聚物溶解于仅含有偶极矩为2.8以上的有机溶剂中、或溶解于含有偶极矩为2.8以上的有机溶剂作为一部分的溶剂中，然后将该溶剂蒸发。
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