[发明专利]磁记录介质的硅基底及其制造方法以及磁记录介质无效

专利信息
申请号: 200580026818.X 申请日: 2005-08-04
公开(公告)号: CN1993736A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 会田克昭 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/73 分类号: G11B5/73;G11B5/84;G11B5/82
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种用于磁记录介质的硅基底,即使其为易碎材料制成的硅基底,也不易于在基底边缘面上产生碎片或者在基底上产生裂缝,并且防止从基底边缘面上产生的碎屑,以及防止由于摩擦加工盒而产生的碎屑。因此,在用于磁记录介质的硅基底中,在基底的主表面与边缘面之间提供了倒角部分,该边缘面与基底的倒角部分具有镜面光洁度,并且半径大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面介于基底主表面与倒角部分之间。在形成该曲表面过程中,制备具有叠置的多个硅基底与间隔物的硅基底叠层,并且刷子抛光该基底中心孔的内圆周和该基底的外圆周。
搜索关键词: 记录 介质 基底 及其 制造 方法 以及
【主权项】:
1.一种用于磁记录介质的硅基底,包括位于该基底的主表面与边缘面之间的倒角部分,其中所述边缘面与所述基底的倒角部分具有镜面光洁度,并且半径大于或等于0.01mm并小于0.3mm的曲表面介于所述基底的所述主表面与所述倒角部分之间。
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