[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580026864.X | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101002340A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 尹浩相 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：提供具有GaN层的氮化物半导体发光器件，使氮化物半导体发光器件与氢分离金属接触，使氮化物半导体发光器件和氢分离金属振动，从氮化物半导体发光器件的GaN层除去氢并且从氮化物半导体发光器件分离氢分离金属。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：提供具有GaN层的氮化物半导体发光器件；使所述氮化物半导体发光器件与氢分离金属接触；使氮化物半导体发光器件和氢分离金属振动；从氮化物半导体发光器件的GaN层除去氢并且从氮化物半导体发光器件分离氢分离金属。
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