[发明专利]制造硅的反应器和方法无效
申请号: | 200580027001.4 | 申请日: | 2005-07-26 |
公开(公告)号: | CN101001810A | 公开(公告)日: | 2007-07-18 |
发明(设计)人: | A·米勒;T·西尔;R·松嫩沙因;P·阿德勒 | 申请(专利权)人: | 联合太阳能硅有限及两合公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及用于分离含硅气体(2)的反应器(1),为了降低成本,使用了至少一种可电加热的硅的沉积元件(15),该元件具有用以改进其电导率的至少包含一种杂质的掺杂,掺杂具有这样的初始浓度,即使得在最终状态其上沉积有硅的沉积元件(15)适合用来制造用于生产用于光电装置的多晶硅块或晶体硅的硅熔融物。本发明还涉及用本发明的反应器(1)生产硅的方法以及生产出的硅在光电装置中的用途。 | ||
搜索关键词: | 制造 反应器 方法 | ||
【主权项】:
1.用于分离含硅气体(2)的反应器(1;1a),包括a.反应容器(3;3a),其内容纳有用于接受气体(2)的反应室(4;4a),并且其具有至少一根供气管(10;10a),b.至少一个可加热的沉积元件(15;15a),其安装在用于硅沉积的反应室(4;4a)内,至少一个沉积元件(15;15a)i.主要含硅,并且ii.具有至少一种杂质的掺杂以改进电导率,掺杂在初始状态下具有这样的的浓度,即沉积元件(15;15a)在其上沉积了硅的最终状态下适合用于制造硅熔融物,所述硅熔融物用于生产用于光电装置的多晶硅块或单晶硅,并且c.电加热装置(18;18a)以使用通过其的电流加热至少一个沉积元件(15;15a)。
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