[发明专利]芳香族化合物聚合物的制备方法有效

专利信息
申请号: 200580027181.6 申请日: 2005-06-24
公开(公告)号: CN101001900A 公开(公告)日: 2007-07-18
发明(设计)人: 东村秀之;福岛大介;大内一荣 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: C08G61/10 分类号: C08G61/10;C07C49/92;C07F9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种芳香族化合物聚合物的制备方法,该方法是使具有2个以上与芳香环直接键合的氢原子的1种以上的芳香族化合物,在氧化剂的存在下进行氧化聚合的芳香族化合物聚合物的制备方法,其特征在于,在该方法中,使用一种由过渡金属配位化合物或者由过渡金属配位化合物与活化剂制备的催化剂作为催化剂,该催化剂由下述式(A)定义的参数P为0.50以上,且由下述式(B)定义的参数Eo为0.50[V]以上,P=Af/Ai (A)(式中,Ai表示对于含有上述催化剂的溶液,在从200nm以上至800nm以下的紫外至近红外的波段得到的吸收光谱中,最长波长侧的吸收带的吸收极大处的吸光度;Af表示当向该溶液中添加相对于该催化剂中所含有的金属的摩尔数为3当量的水而形成的溶液时,在上述波段得到的吸收光谱中,与Ai相同波长处的吸光度) Eo=(Epa+Epc)/2[V](B) (式中,Epa表示在将含有上述催化剂的测定溶液用循环伏安测量法进行测定时,按照二茂铁/二茂合铁离子的氧化还原电位基准,在0.50[V]以上电位的条件下,来自该催化剂所含有的过渡金属的氧化还原电位的氧化侧的峰值电位;Epc表示在进行同样测定时与Epa相对应的还原侧的峰值电位)。
搜索关键词: 芳香族 化合物 聚合物 制备 方法
【主权项】:
1.一种芳香族化合物聚合物的制备方法,该方法是使具有2个以上的与芳香环直接键合的氢原子的1种以上的芳香族化合物,在氧化剂的存在下进行氧化聚合的芳香族化合物聚合物的制备方法,其特征在于,在该方法中,使用一种由过渡金属配位化合物或者由过渡金属配位化合物与活化剂制备的催化剂作为催化剂,该催化剂由下述式(A)定义的参数P为0.50以上,且由下述式(B)定义的参数Eo为0.50[V]以上,P=Af/Ai (A)(式中,Ai表示对于含有上述催化剂的溶液,在从200nm以上至800nm以下的紫外至近红外的波段得到的吸收光谱中,最长波长侧的吸收带的吸收极大处的吸光度;Af表示对于向该溶液中添加相对于该催化剂中所含有的金属的摩尔数为3当量的水而形成的溶液,在上述波段得到的吸收光谱中,与Ai相同波长处的吸光度)Eo=(Epa+Epc)/2[V] (B)(式中,Epa表示在将含有上述催化剂的溶液用循环伏安测量法进行测定时,按照二茂铁/二茂合铁离子的氧化还原电位基准在0.50[V]以上电位的条件下,来自该催化剂所含有的过渡金属的氧化还原电位的氧化侧的峰值电位;Epc表示在进行同样测定时与Epa相对应的还原侧的峰值电位)。
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