[发明专利]生产硅的方法、从熔融的盐中分离硅的方法和生产四氟化硅的方法无效
| 申请号： | 200580027190.5 | 申请日： | 2005-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101090862A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | A·I·卡雷林;V·A·卡雷林;V·A·卡滋米洛夫 | 申请（专利权）人： | 吉里奥斯有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/08;C01B7/20;C25B1/24;C25B1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张轶东;李连涛 |
| 地址： | 俄国鄂*** | 国省代码： | 俄罗斯;RU |
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| 摘要： | 本发明涉及生产半导体硅的工艺，它包括电解分解四氟化硅饱和的碱金属氟化物盐三元系统的低共熔体。为了饱和熔体，使用通过氟化二氧化硅而得到的四氟化硅，其中所述的氟化分两个阶段进行，即在其中的第1阶段，供给过量的元素氟，在第2阶段供给二氧化硅。通过借助于无水氟化氢溶解含有硅微粒的熔体、随后经过滤分离出呈硅粉末形式的固相来实现硅粉末与氟化物盐低共熔体的分离。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 方法 熔融 分离 氟化 | ||
【主权项】：
1、一种通过电解并且在阳极上分离元素氟来从四氟化硅生产硅并同时生产元素氟的方法，其特征在于：对被四氟化硅饱和的碱金属氟化物盐三元系统的低共熔体进行电解分解，将呈硅粉末与电解液即所提到的熔体的悬浮液形态的分离出的硅从电解槽排出，随后，将硅粉末从碱金属氟化物盐三元系统的低出熔体中分离出来。
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