[发明专利]化学蒸发沉积装置喷头有效

专利信息
申请号: 200580027248.6 申请日: 2005-08-09
公开(公告)号: CN101031998A 公开(公告)日: 2007-09-05
发明(设计)人: 严坪镕 申请(专利权)人: 株式会社EUGENE科技
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 代理人: 张瑾
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种化学蒸发沉积装置的喷头,它能够向半导体晶片的表面喷洒过程反应气体,以将过程反应气体在半导体晶片的表面沉积成厚度均匀的薄膜。
搜索关键词: 化学 蒸发 沉积 装置 喷头
【主权项】:
1.一种化学蒸发沉积装置的喷头,包括:一个有内腔的腔体,以使喷头和加热器安装在其中;形成在一侧的进气口,于是反应气体从外部流入;腔体顶部,其同腔体的顶面通过紧固部件相组合以密封腔体;片板,其在腔体顶部的底面提供以形成一个低温区,片板上的多个通孔对接收到的反应气体进行分流;大量喷孔,用以将分流后的反应气体喷散到晶片的表面上;喷头,沿其外部圆周形成有大量的紧固孔,以利用腔体顶部紧固;加热器,其顶面安装有晶片,而其底面提供有加热器支架,在内腔内提供的加热器按预定的距离同喷头分离,其中,在喷头的顶面中心形成大量的主孔,彼此之间等距分离;大量的副孔同主孔等距分离以同主孔交叉;在喷头的底面中心形成凸起;在凸起之间提供有导槽,以形成主孔和副孔的下部;导槽的外部圆周向下部伸展。
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