[发明专利]化学蒸发沉积装置喷头有效
申请号: | 200580027248.6 | 申请日: | 2005-08-09 |
公开(公告)号: | CN101031998A | 公开(公告)日: | 2007-09-05 |
发明(设计)人: | 严坪镕 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种化学蒸发沉积装置的喷头,它能够向半导体晶片的表面喷洒过程反应气体,以将过程反应气体在半导体晶片的表面沉积成厚度均匀的薄膜。 | ||
搜索关键词: | 化学 蒸发 沉积 装置 喷头 | ||
【主权项】:
1.一种化学蒸发沉积装置的喷头,包括:一个有内腔的腔体,以使喷头和加热器安装在其中;形成在一侧的进气口,于是反应气体从外部流入;腔体顶部,其同腔体的顶面通过紧固部件相组合以密封腔体;片板,其在腔体顶部的底面提供以形成一个低温区,片板上的多个通孔对接收到的反应气体进行分流;大量喷孔,用以将分流后的反应气体喷散到晶片的表面上;喷头,沿其外部圆周形成有大量的紧固孔,以利用腔体顶部紧固;加热器,其顶面安装有晶片,而其底面提供有加热器支架,在内腔内提供的加热器按预定的距离同喷头分离,其中,在喷头的顶面中心形成大量的主孔,彼此之间等距分离;大量的副孔同主孔等距分离以同主孔交叉;在喷头的底面中心形成凸起;在凸起之间提供有导槽,以形成主孔和副孔的下部;导槽的外部圆周向下部伸展。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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