[发明专利]加热板的温度测定方法、基板处理装置及加热板的温度测定用计算机程序有效
申请号: | 200580027324.3 | 申请日: | 2005-08-08 |
公开(公告)号: | CN101002304A | 公开(公告)日: | 2007-07-18 |
发明(设计)人: | 富田浩;浅井龙二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏;廖凌玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明在借助具有温度检测部(41)、存储部(42)、和控制器(42)的无线晶片(Ww)来测定对基板(W)进行热处理的加热板(34)的温度时,可容易且高精度地测定温度,可抑制由测定作业引起的工作效率的降低。在无线晶片输送器(Cw)内的位置上,向无线晶片(Ww)的控制器(42)输出温度测定开始指令,由此,无线晶片(Ww)开始温度检测,将温度检测值存储到存储部(42)内。另一方面,无线晶片(Ww)沿着预定的输送路径被输送到加热组件中。然后,基于无线晶片(Ww)载置到加热板(34)上为止的时间、和存储部(42)内的温度检测值的时间序列数据,取出无线晶片(Ww)载置到加热板(34)上之后的温度检测值的时间序列数据。 | ||
搜索关键词: | 加热 温度 测定 方法 处理 装置 用计 程序 | ||
【主权项】:
1.一种加热板的温度测定方法,就基板处理装置测定加热板(34)的温度,所述基板处理装置包括:输送器输入部(B1),将收纳有多个基板(W、Ww)的输送器(C、Cw)输入;处理组件(U1~U3),包括在加热板(34)上载置前述基板(W、Ww)而进行热处理的加热组件;输送部(A1~A3),从输送器输入部(B1)接取前述基板(W、Ww)并输送到前述处理组件(U1~U3)中;所述方法包括下述工序:借助前述输送部(A1~A3),将包括温度检测部(41)、存储部(42)及基板控制器(42)的温度检测用的前述基板(Ww)沿着预定的输送路径输送到前述加热组件中;开始指令输出工序,在前述输送路径中的预定位置上,向前述温度检测用基板(Ww)的基板控制器(42)输出温度测定开始指令;前述温度检测用基板(Ww)接收前述温度测定开始指令而将温度检测值的时间序列数据存储到前述存储部(42)内;和时间序列数据取出工序,基于从输出前述温度测定开始指令时前述温度检测用基板(Ww)的位置起到前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上为止的输送时间、和前述存储部(42)内的温度检测值的时间序列数据,取出前述温度检测用基板(Ww)载置到前述加热板(34)上之后的前述温度检测值的时间序列数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造