[发明专利]掩模表面的高度方向位置测定方法、曝光装置以及曝光方法无效
| 申请号： | 200580027407.2 | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101002306A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 平柳德行;田中庆一 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03B21/00;G01B11/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种曝光装置中掩模M表面的高度方向位置测定方法，此曝光装置具有一种转印功能，以借由投影光学系统使掩模M上已形成的图案转印至晶圆等的感应基板上，其特征为：在测定该掩模M的高度方向位置所进行的测定之前使配置在掩模M和投影光学系统之间曝光时规定该曝光区域所用的曝光区域规定构件1移动。本发明在即使存在着曝光区域规定构件时，由于可使曝光区域规定构件退避，仍可对掩模表面的所定部份的高度方向位置进行测定。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 高度 方向 位置 测定 方法 曝光 装置 以及 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置中掩模表面的高度方向位置测定方法，此曝光装置具有一种转印功能，从光源射出的光照射在掩模上，借由投影光学系统使所述掩模上已形成的图案转印至感应基板上，其特征在于：在测定所述掩模的高度方向位置所进行的测定之前，使配置在所述掩模和所述投影光学系统之间并在曝光时规定所述曝光区域所用的曝光区域规定构件移动。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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