[发明专利]形成窄间隔闪存接触开口的方法有效
| 申请号： | 200580027422.7 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101053077A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | E·H·林圭尼斯;N·程;M·拉姆斯贝;K·甘德哈瑞;A·明维列;H－E·金 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在光刻掩模上产生若干光学特征以供用来产生半导体装置晶片上的蚀刻掩模的一系列开孔的图案的方法(210)，该方法包含下列步骤：在该光刻掩模上沿着该第一方向产生(300，310)相互间隔开的一系列光学特征，其中所述个别的光学特征具有小于将在该蚀刻掩模中产生图案的所述开孔的所需第一尺寸的沿着该第一方向的若干第一掩模特征尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 间隔 闪存 接触 开口 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在闪存装置中形成接触的方法(210)，该方法(210)包含下列步骤：提供(300，310)一光刻掩模，该光刻掩模具有沿着列方向的接触特征，所述接触特征具有比所需接触列方向尺寸小的接触列方向尺寸；利用该光刻掩模在该装置中将蚀刻掩模形成图案(226，228)；利用该蚀刻掩模在该装置中蚀刻(230)接触开孔；以及在所述接触开孔中形成(232)导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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