[发明专利]AIN单晶的制造方法以及AIN单晶有效
| 申请号： | 200580027729.7 | 申请日： | 2005-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101006207A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 岩井真;今井克宏 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B11/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过在含氮的气氛中对至少含有镓、铝和钠的熔液进行加压，培养AlN单晶。优选的是，在氮分压为50个大气压以下培养AlN单晶，此外，在850℃～1200℃的温度下培养AlN单晶。 | ||
| 搜索关键词： | ain 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.AlN单晶的制造方法，其特征在于，通过在含有氮的气氛中对至少含有镓、铝和钠的熔液进行加压，培养AlN单晶。
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