[发明专利]缓变半导体层

摘要

一种用于形成半导体器件的工艺。该工艺包括形成模板层(207)，用于形成应变硅层(305)。在一个示例中，形成缓变的锗硅层(107)，其中锗在下面部分处具有较高的浓度，而在顶部部分处具有较低的浓度。当经历缩合工艺时，该层的顶部部分的锗扩散到锗硅层的剩余部分。由于锗硅层在下面部分处具有较高的锗浓度，因此可以减少缩合之后在锗硅层的剩余部分的上面部分处积累的锗。

主权项

1.一种形成半导体结构的方法，包括：提供具有绝缘体上半导体(SOI)配置的晶片，所述晶片包括绝缘体上的第一半导体层，所述第一半导体层由至少两个组分制成，第一半导体层包括覆盖第一半导体层的第二部分的第一部分，其中第一部分包括第一浓度的至少两个组分中的第一组分，并且其中第二部分包括第二浓度的至少两个组分中的第一组分，而且其中第一浓度小于第二浓度；以及在第一半导体层上执行缩合工艺，用于消耗一部分第一半导体层，并且用于在第一半导体层的剩余部分上形成包括至少两个组分中的第二组分的材料；移除所述材料；在移除所述电介质之后，在剩余部分上形成包括第二组分的第二半导体层。