[发明专利]调整聚合物存储单元的编程阈值的系统及方法无效

专利信息
申请号: 200580027947.0 申请日: 2005-08-08
公开(公告)号: CN101006516A 公开(公告)日: 2007-07-25
发明(设计)人: S·斯皮策;J·H·克里格;D·豪恩 申请(专利权)人: 斯班逊有限公司
主分类号: G11C13/02 分类号: G11C13/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供调整与聚合物存储单元(215,640)操作相关之阈值的系统与方法,系通过在后制造阶段施加经调整之电场与/或电压脉冲宽度于该聚合物存储单元上。该编程阈值之客制化一般可在编程该存储单元之任一周期(215,640)获得,以增加电路设计之弹性。因此,本发明提供电流-电压值域,与/或频率-时间值域,以助于调整该聚合物存储单元(215,640)之编程阈值。
搜索关键词: 调整 聚合物 存储 单元 编程 阈值 系统 方法
【主权项】:
1.一种设定存储装置的编程阈值的方法,包含:确定超出存储单元(215,640)擦除阈值(404)的擦除方向电压,以设定下一个编程阶段所需编程阈值,该存储单元(215,640)基于通过其无源层(203)与有源层(201)的离子移动而操作;以及通过施加该电压于该存储单元(215,640)上而擦除该存储单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯班逊有限公司,未经斯班逊有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580027947.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top