[发明专利]调整聚合物存储单元的编程阈值的系统及方法无效
申请号: | 200580027947.0 | 申请日: | 2005-08-08 |
公开(公告)号: | CN101006516A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | S·斯皮策;J·H·克里格;D·豪恩 | 申请(专利权)人: | 斯班逊有限公司 |
主分类号: | G11C13/02 | 分类号: | G11C13/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供调整与聚合物存储单元(215,640)操作相关之阈值的系统与方法,系通过在后制造阶段施加经调整之电场与/或电压脉冲宽度于该聚合物存储单元上。该编程阈值之客制化一般可在编程该存储单元之任一周期(215,640)获得,以增加电路设计之弹性。因此,本发明提供电流-电压值域,与/或频率-时间值域,以助于调整该聚合物存储单元(215,640)之编程阈值。 | ||
搜索关键词: | 调整 聚合物 存储 单元 编程 阈值 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种设定存储装置的编程阈值的方法,包含:确定超出存储单元(215,640)擦除阈值(404)的擦除方向电压,以设定下一个编程阶段所需编程阈值,该存储单元(215,640)基于通过其无源层(203)与有源层(201)的离子移动而操作;以及通过施加该电压于该存储单元(215,640)上而擦除该存储单元。
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