[发明专利]应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法

摘要

本发明涉及具有应变半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施例，一种绝缘体上半导体结构具有包括半导体材料、附连到包括玻璃或玻璃陶瓷的第二层的第一层，且将半导体和玻璃或玻璃陶瓷的CTE选择成使第一层受到拉伸应变的作用。本发明还涉及该应变绝缘体上半导体层的制造方法。

主权项

1.一种绝缘体上半导体结构，包括直接地或通过一个或多个中间层互相附连的第一层和第二层，其中所述第一层包括基本上是单晶的半导体材料；所述第二层包括玻璃或玻璃陶瓷；以及所述玻璃或玻璃陶瓷的CTE(25℃-300℃)正向小于所述半导体材料的CTE(25℃)。