[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在具有在半导体衬底(1)上隔着绝缘层(3)而配置了转移电极(2a～2c)的结构的半导体器件(10)中，在半导体衬底(1)的与转移电极(2a～2c)的正下方的区域重叠的位置，包括一导电型的第1半导体区域(4)、与一导电型相反的导电型的第2半导体区域(5)、以及一导电型的第3半导体区域(6)。第2半导体区域(5)形成在第1半导体区域(4)上。第3半导体区域(6)形成在第2半导体区域(5)上，以使第2半导体区域(5)的耗尽时的电位的最大点(8)的位置比不存在第3半导体区域(6)的情况变深。

主权项

1.一种半导体器件，具有在半导体衬底上隔着绝缘层配置了电极的结构，其特征在于：所述半导体衬底在与所述电极的正下方的所述半导体衬底的区域重叠的位置，具有一导电型的第1半导体区域、导电型与一导电型相反的第2半导体区域、以及一导电型的第3半导体区域，所述第2半导体区域被形成在所述第1半导体区域上，所述第3半导体区域被形成在所述第2半导体区域上，以使所述第2半导体区域耗尽时的电位的最大点的位置比不存在所述第3半导体区域的情况变深。