[发明专利]半导体器件及制作该种半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种具有NCMOST1和PCMOST2的CMOS器件(10)。所述NCMOST1和PCMOST2具有由含有金属和另一种元素的化合物组成的栅区(1D，2D)。按照本发明，第一和第二导电材料二者都由包含选自一组钼和钨的金属和选自一组碳、氧和硫属化物的另一种元素的化合物组成。所述第一和第二导电材料二者最好都由钼和碳，或者钼和氧的化合物组成。本发明还提供一种引人注目的制作这种器件的方法。

主权项

1.一种半导体器件(10)，具有衬底(11)和半导体基体(12)，所述基体包括第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)；所述第一场效应晶体管(1)具有第一源区、漏区(1A，1B)和第一导电类型的第一沟道，由第一介电区(1C)使所述第一源区、漏区与第一沟道分开，还具有包含第一种导电材料的第一栅区(1D)；所述二场效应晶体管(2)具有第二源区、漏区(2A，2B)和与第一导电类型相反之第二导电类型的第二沟道，由第二介电区(2C)使所述第二源区、漏区与第二沟道分开，还具有包含与第一种导电材料不同之第二种导电材料的第二栅区(2D)，其中所述第一和第二种导电材料二者都包括含有金属以及其它元素的化合物；其特征在于，所述第一和第二种导电材料包括由从一组包含钼和钨的组中选择的金属组成的金属化合物，以及包括由从一组包括碳、氧和硫属化物的组中选择的另一种元素组成的化合物。