[发明专利]介电陶瓷和单片陶瓷电容器有效

专利信息
申请号: 200580028204.5 申请日: 2005-06-20
公开(公告)号: CN101006027A 公开(公告)日: 2007-07-25
发明(设计)人: 武藤和夫;中村友幸;加藤成;佐野晴信;笹林武久;平松隆 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;H01B3/12;H01G4/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中,R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr;而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成;并且0≤x≤0.05,0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08),0≤z≤0.05,0.990≤m,100.2≤(100m+a)≤102,0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成,可以制备这样的一种单片陶瓷电容器:即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时,也保持良好的介电特性和温度特性,并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。
搜索关键词: 陶瓷 单片 电容器
【主权项】:
1.一种介电陶瓷,其包含通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中,R表示选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y组成的组中的至少一种元素;而XuOv表示至少含有Si的氧化物组)所示的组成,其中,0≤x≤0.05,0≤y≤0.08,并且0≤z≤0.05;0.990≤m并且100.2≤(100m+a)≤102;以及0.05≤b≤0.5,0.05≤c≤2,0.05≤d≤1.3,0.1≤e≤1.0,0.02≤f≤0.15,并且0.2≤g≤2。
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