[发明专利]无线芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 200580028239.9 | 申请日： | 2005-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101019237A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 大力浩二;丸山纯矢;田村友子;杉山荣二;道前芳隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n－型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p－型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 无线 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜集成电路，包含：第一绝缘层；提供在第一绝缘层上的至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；覆盖在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管上的第二绝缘层；在第二绝缘层上并且用作至少源极布线和漏极布线之一的第一导电层；覆盖在第一导电层上的第三绝缘层；在第三绝缘层上的包括第二导电层的天线；和覆盖在天线上的第四绝缘层，其中包含在第一薄膜晶体管中的第一半导体层具有第一沟道形成区和第一杂质区，且其中包含在第二薄膜晶体管中的第二半导体层具有第二沟道形成区和第二杂质区。
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