[发明专利]大气压化学汽相淀积无效
| 申请号： | 200580028243.5 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101432458A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | N·W·约翰斯顿;K·R·科尔曼约斯;N·A·赖特 | 申请（专利权）人： | 太阳领域有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/56;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳;赵苏林 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在大气压下涂覆衬底的方法，该方法包含下列步骤：在加热的惰性气流中在基本上大气压下蒸发可控质量的半导体材料，以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物；在基本上大气压下将该流体混合物引导到具有低于该半导体材料凝结温度的温度的衬底上；并且在该衬底的表面上淀积一层该半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 大气压 化学 汽相淀积 | ||
【主权项】：
1. 一种用于在大气压下涂覆衬底的方法，该方法包含下列步骤：在加热的惰性气流中，在基本上大气压下，蒸发可控质量的半导体材料，以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物；在基本上大气压下，引导该流体混合物到具有低于该半导体材料凝结温度的温度的衬底上；在该衬底的表面上淀积一层该半导体材料；蒸发、引导和淀积步骤重复至少一次，以在衬底上淀积至少一额外的半导体材料层，所淀积的最后一层半导体材料包含碲化镉；和用反应性气体处理该碲化镉层以重结晶该碲化镉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳领域有限责任公司，未经太阳领域有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580028243.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
