[发明专利]形成突变的源漏金属栅晶体管有效
| 申请号： | 200580028272.1 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101006569A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | N·林德特;S·达塔;J·卡瓦利罗斯;M·多茨;M·梅茨;J·布拉斯克;R·曹;M·博尔;A·墨菲 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可以利用栅结构作为掩模来形成源和漏区域。然后栅结构可以被去除以形成间隙且隔离物可以形成在间隙内以限定沟槽。在于基底内形成沟槽的过程中，源漏区域的部分被去除。然后基底填充回外延材料且在外延材料上形成新的栅结构。作为结果，可以实现更突变的源漏结。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 突变 金属 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：在基底内形成源漏掺杂；在所述的基底内形成沟槽以去除所述的源漏掺杂的部分；以半导体材料填充所述的沟槽；和在所述的已填充的沟槽上方形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
