[发明专利]集成低K硬掩膜有效
| 申请号： | 200580028407.4 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101006576A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | S·金;A·奥特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种在第一和第二ILD层之间具有硬掩膜层的器件。该硬掩膜层可以具有与第一和/或第二ILD层基本相等的k值。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 硬掩膜 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：淀积具有低介电常数的第一层间介电层；在该第一层间介电层上淀积具有低介电常数的第一硬掩膜层；在该第一硬掩膜层中形成开口以暴露该第一层间介电层；在该第一层间介电层中形成第一沟槽；在该沟槽中淀积第一导电迹线；以及在该第一导电迹线和该第一硬掩膜层上淀积第二层间介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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