[发明专利]等离子体成膜方法及其装置无效
| 申请号： | 200580028448.3 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101032005A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 小林保男;西泽贤一;龟嵨隆季;伊崎隆一郎;神力学 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;大阳日酸株式会社;大见忠弘 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10－9体积比以下的C5F8气体，形成添加氟的碳膜，得到热稳定性优异的添加氟的碳膜。在C5F8气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C5F8气体等离子体化并形成添加氟的碳膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C5F8气体通入精制器(2)，去除C5F8气体的水分，例如将水分含量为20×10－9体积比左右的C5F8气体导入成膜处理部(3)，形成添加氟的碳膜。这样，进入形成的添加氟的碳膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体成膜方法，其特征在于：将水分含有量为60×10-9体积比以下的C5F8气体等离子体化，形成添加氟的碳膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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