[发明专利]具有集成的透镜的封装件及晶片规模制造方法无效
申请号: | 200580028695.3 | 申请日: | 2005-08-25 |
公开(公告)号: | CN101010810A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | C·德维纶纽夫;G·哈普斯顿;D·B·塔克尔曼 | 申请(专利权)人: | 德塞拉股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0232;H01L23/10;H01L23/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 刘佳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种具有集成在覆盖层(12)中的一光学元件(14)的覆盖的芯片(10),该芯片包括具有一前表面(18)、一光学有源电路区(16)以及设置在该前表面处的粘结垫(20)。该芯片被至少部分地光学半透明或透明的单体覆盖层(12)所覆盖,该单体覆盖层安装到芯片前表面上,该芯片具有集成在单体覆盖层中的至少一个光学元件(14)。覆盖层(12)与光学有源电路区(16)对齐且沿垂直方向与光学有源电路区间隔开。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成 透镜 封装 晶片 规模 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种覆盖的芯片,包括:一芯片,它具有一前表面、一光学有源电路区和设置在所述前表面处的粘结垫;以及一至少部分光学半透明或透明的单体覆盖层,其安装到所述芯片的所述前表面上,在所述单体覆盖层中集成有至少一个光学元件,所述覆盖层与所述光学有源电路区对齐且与所述光学有源电路区在垂直方向上间隔开来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的