[发明专利]晶片加热装置及半导体制造装置有效
| 申请号： | 200580028776.3 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101019208A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 岩田惠治;长崎浩一;中村恒彦 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;H05B3/12;H05B3/20;H05B3/74 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过提高加热器部的冷却速度可急速进行冷却的晶片加热装置，该加热器部由具有电阻发热体的板状体组成。该晶片加热装置包含：板状体，其具有对置的二个主面，其中一主面作为载置晶片的载置面，在另一主面上具有带状的电阻发热体；供电端子，其连接于电阻发热体并将电力供给于该电阻发热体；壳体，其按照覆盖供电端子的方式设置在板状体的另一面；及喷嘴，其具有与板状体的另一面对置的前端，用以冷却板状体；其中，板状体另一面中的喷嘴前端的投影位置，位于电阻发热体的带之间。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加热 装置 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种晶片加热装置，其特征在于，包含：板状体，其具有对置的二个主面，其中一主面作为载置晶片的载置面，在另一主面上具有带状的电阻发热体；供电端子，其连接于所述电阻发热体并将电力提供给该电阻发热体；壳体，其按照覆盖所述供电端子的方式设置在所述板状体的所述另一面上；及喷嘴，其具有与所述板状体的所述另一面对置的前端，对所述板状体进行冷却；在所述板状体的另一面上，所述喷嘴的前端的投影位置位于所述电阻发热体的带之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
