[发明专利]用线性聚焦的激光束对固体进行激光掺杂以及基于所述方法制造太阳能电池发射极无效
| 申请号： | 200580028813.0 | 申请日： | 2005-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101053065A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 于尔根·H·维尔纳;于尔根·克勒;艾恩华·埃斯图罗－布雷顿 | 申请（专利权）人： | 于尔根·H·维尔纳;于尔根·克勒 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/223;H01L21/268;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一种根据本发明的激光掺杂方法中，首先使包含掺杂物的介质与固体的表面形成接触。然后，通过激光脉冲的照射短时融化固体的在与介质接触的表面下的区域，使得掺杂物扩散进熔化的区域中并且在熔化区域冷却期间使熔融区域结晶。激光束以线性焦点聚焦在固体上，其中线性焦点的宽度优选小于10μm。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 聚焦 激光束 固体 进行 激光 掺杂 以及 基于 方法 制造 太阳能电池 发射极 | ||
【主权项】：
1.一种在固体中产生掺杂的区域的方法，其中将包含掺杂物的介质与所述固体的表面形成接触，通过激光脉冲照射使所述固体的在与所述介质接触的表面下的区域融化，使得所述掺杂物扩散进所述熔化的区域中，并且在所述熔化的区域冷却期间再结晶，其特征在于，所述激光束以线性焦点聚焦到所述固体上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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