[发明专利]化合物半导体发光器件有效
| 申请号： | 200580028886.X | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101010812A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 小野善伸;山中贞则 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导体发光器件，其特征在于包含：导电衬底；包括GaN层的化合物半导体功能层；电极；粘合性增强层；和粘合层，它们以这个顺序堆叠，其中上述导电衬底包括金属材料，所述的金属材料具有与GaN相差1.5×10－6/℃或更小的热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体发光器件，其特征在于包含：导电衬底；包括GaN层的化合物半导体功能层；电极；粘合性增强层；和粘合层，它们以这个顺序堆叠，其中上述导电衬底包括金属材料，所述金属材料具有与GaN相差1.5×10-6/℃或更小的热膨胀系数。
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