[发明专利]浪涌保护用半导体器件

摘要

提供一种耐浪涌性高的浪涌保护用半导体器件。本发明的浪涌保护用半导体器件包括的半导体基板(10)包括高浓度第一导电型半导体基板(1)、低浓度第一导电型半导体层(2)、高浓度第一导电型半导体层(4)、第二导电型半导体层(3)、低浓度第二导电型半导体层(5)，上述低浓度第二导电型半导体层从低浓度第一导电型半导体层(2)的表面向低浓度第一导电型半导体层(2)的层内延伸，与高浓度第一导电型半导体层(4)共有轴线，并且具有与高浓度第一导电型半导体层(4)的界面(J4)和与第二导电型半导体层(3)的界面(J5)。并且，低浓度第二导电型半导体层(5)的杂质浓度比第二导电型半导体层(3)的杂质浓度低。

主权项

1.一种浪涌保护用半导体器件，包括半导体基板、分别形成在上述半导体基板的两主面上的第一电极和第二电极、及覆盖上述半导体基板的一部分而形成的绝缘被膜，其特征在于，上述半导体基板包括：高浓度第一导电型半导体基板；低浓度第一导电型半导体层，形成在上述高浓度第一导电型半导体基板上；高浓度第一导电型半导体层，从上述低浓度第一导电型半导体层的表面向层内延伸；第二导电型半导体层，从上述高浓度第一导电型半导体层的底面向上述低浓度第一导电型半导体层的层内延伸，与上述高浓度第一导电型半导体层共有轴线；低浓度第二导电型半导体层，是圆筒状，从上述低浓度第一导电型半导体层的表面向上述低浓度第一导电型半导体层的层内延伸，与上述高浓度第一导电型半导体层共有轴线，并且具有与上述高浓度第一导电型半导体层的界面、及与上述第二导电型半导体层的界面；上述绝缘被膜覆盖上述低浓度第一导电型半导体层的表面、上述低浓度第二导电型半导体层的表面、及上述高浓度第一导电型半导体层的表面中央部区域以外的表面而形成；上述第一电极跨在未被上述绝缘被膜覆盖的上述高浓度第一导电型半导体层的上述表面中央部区域上和上述绝缘被膜的一部分上而形成；上述第二电极覆盖上述高浓度第一导电型半导体基板的表面而形成；上述低浓度第二导电型半导体层的杂质浓度比上述第二导电型半导体层的杂质浓度低。