[发明专利]凸块形成方法及焊接凸块有效
| 申请号： | 200580029094.4 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101010789A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 辛岛靖治;山下嘉久;留河悟;北江孝史;中谷诚一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以均一性良好地形成多个微细凸块并且生产性高的凸块形成方法。在向形成了多个电极(11)的基板(10)上，供给了含有焊粉及对流添加剂(12)的树脂(13)后，在以平板(14)顶触向基板(10)上供给的树脂(13)的表面的同时，将基板(10)加热到焊粉熔融的温度。在该加热工序中，使熔融了的焊粉自行集聚，并且在多个电极(11)上自对准地一次性形成因自行集聚而长大的焊球(15)。其后，如果将平板(14)从树脂(13)的表面分离，除去树脂(13)，则可以获得在多个电极上形成了凸块(16)的基板(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 焊接 | ||
【主权项】：
1.一种凸块形成方法，是在电极上形成凸块的方法，该方法包括：(1)准备形成了多个电极的基板的工序、(2)向所述基板供给含有焊粉及对流添加剂的树脂的工序、及(3)将所述基板加热到所述焊粉熔融的温度的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580029094.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
