[发明专利]高电容钽片及其制备方法无效
| 申请号： | 200580029161.2 | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101010160A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 邱永坚 | 申请（专利权）人： | 卡伯特公司 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F9/24;C22C1/04;H01G9/042 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使钽电容器电容最大化的方法，及钽片粉末和阳极。可以使用两步研磨法将钽颗粒研磨成具有理想厚度的钽片粉末。然后，压制并烧结该片状粉末由此形成阳极。还公开了其它片状电容法和产品。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种钽片状粉末，其中所述片厚为初级片厚+/-200％范围内的平均片厚，其中所述初级片厚＝2.5KoKta/(Dta*Kf)*1/CV，其中CV＝2.5KoKta/(Dta*2Kf)*1/Vf，且其中Ko＝真空电容率，Kta＝介电常数，Dta＝钽材料密度，Kf＝形成常数(每伏的电介质厚度)，CV＝μFV/g，Vf＝形成电压，其中Vf为约6伏-约500伏。
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