[发明专利]减少了位线与字线短路效应的交叉点铁电存储器有效
| 申请号： | 200580029279.5 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101015023A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | R·H·沃马克 | 申请（专利权）人： | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器，其由夹置于多个字导体和多个位线导体之间的电介质层构成。该电介质层包括铁电材料层的电介质层，并具有第一和第二表面。字导体位于该第一表面上。各个字导体连接到相应的字线驱动电路。位线导体位于该第二表面上。各个位线导体通过一个或多个断开开关连接到相应的位线驱动电路和相应的读出放大器。如果连接到断开开关的位线导体与字导体之一短路，则该断开开关设定为断开状态。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 短路 效应 交叉点 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：包括铁电材料层的电介质层，所述电介质层具有第一和第二表面；位于所述第一表面上的多个字导体，每个字导体连接到相应的字线驱动电路；以及位于所述第二表面上的多个位线导体，每个位线导体与所述字导体交叉，每个位线导体通过一个或多个断开开关连接到相应的位线驱动电路和相应的读出放大器，每个断开开关具有断开状态和闭合状态，所述断开开关在所述断开状态下将所述位线从所述驱动电路和/或所述读出放大器断开。
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