[发明专利]含聚酰胺酸的形成下层防反射膜的组合物无效
| 申请号： | 200580029529.5 | 申请日： | 2005-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101010634A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 畑中真;坂口崇洋;榎本智之;木村茂雄 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供形成下层防反射膜的组合物，该组合物用于形成在制造半导体器件的光刻工艺中使用的下层防反射膜，所述下层防反射膜在光致抗蚀剂的显影中使用的碱性显影液的作用下能够显影，并提供使用该形成下层防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图案的形成方法。本发明的形成下层防反射膜的组合物含有，聚酰胺酸、具有至少两个环氧基的化合物、对波长为365nm的光的摩尔吸光系数为5000～100000(1/mol·cm)的吸光性化合物、和溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰胺 形成 下层 反射 组合 | ||
【主权项】：
1.一种形成下层防反射膜的组合物，该组合物用于形成能够通过碱性显影液与光致抗蚀剂一起显影的下层防反射膜，其特征在于，含有具有式(1)和式(2)所示结构的聚酰胺酸：![]()
(式中，A1和A2表示4价的有机基团，B1表示3价的有机基团，B2表示2价的有机基团)、具有至少两个环氧基的化合物、对波长为365nm的光的摩尔吸光系数为5000～100000(1/mol·cm)的吸光性化合物、和溶剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社，未经日产化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580029529.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二亚铵化合物及其用途
- 下一篇：具有沉积在其上的多个金属层的半导体器件
