[发明专利]光掩模坯件、光掩膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200580029571.7 | 申请日： | 2005-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101010631A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 吉川博树;稻月判臣;木名濑良纪;冈崎智;原口崇;岩片政秀;高木干夫;福岛祐一;佐贺匡 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;G03F1/14;C23F4/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在光掩模基板11的一个主面上具备金属膜作为遮光层12，所述金属膜不被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类干蚀刻)实质性地蚀刻、而且可以被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类干蚀刻)及氟类干蚀刻(F类干蚀刻)蚀刻。然后在该遮光层12上具有金属化合物膜作为防反射层13，所述金属化合物膜不会被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类)实质性地蚀刻、而且可以被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类)或氟类干蚀刻(F类)中的至少一种蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模坯件 光掩膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光掩模坯件，所述光掩模坯件具备金属膜的遮光层及金属化合物膜的防反射层，所述金属膜不被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类)实质性地蚀刻、而且可以被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类)及氟类干蚀刻(F类)蚀刻，所述金属化合物膜不被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类)实质性地蚀刻、而且可以被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类)或氟类干蚀刻(F类)的至少一种蚀刻。
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