[发明专利]用于制作具有高k栅介电层和金属栅电极的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200580029665.4 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101010788A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | J·布拉斯克;C·巴恩斯;M·多茨;U·夏;J·卡瓦利罗斯;M·梅茨;S·达塔;A·米勒;R·曹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成介电层、在介电层内形成沟槽、和在沟槽内形成高k栅介电层。在高k栅介电层上形成第一金属层之后，在该第一金属层上形成第二金属层。利用抛光步骤从该介电层上除去第二金属层的至少一部分，并且利用刻蚀步骤从该介电层上除去另外的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 具有 栅介电层 金属 电极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成介电层；在介电层内形成沟槽；在沟槽内形成高k栅介电层；在高k栅介电层上形成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层；利用抛光步骤从该介电层上除去第二金属层的至少一部分；以及利用刻蚀步骤从该介电层上除去另外的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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