[发明专利]用于检测和/或测量环境中所含电荷浓度的传感器,对应的用途及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200580029737.5 申请日: 2005-07-07
公开(公告)号: CN101048656A 公开(公告)日: 2007-10-03
发明(设计)人: 塔耶伯·默哈迈德-布拉希姆;安妮-克莱尔·萨朗;弗朗斯·勒彼翰;希柴姆·科特伯;法瑞达·班德瑞尔;奥利弗·邦纳德 申请(专利权)人: 雷恩第一大学
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张浩
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于检测和/或测量环境中所含电荷的浓度的传感器。该传感器包括场效应晶体管结构,场效应晶体管结构包括形成栅极并悬在有源层(10)上方的桥(4),有源层(10)位于漏极(6)与源极(7)之间。向桥施加具有特定值的栅极电压。在桥(4)与有源层(10)或沉积在所述有源层上的绝缘层(8)之间含有所谓的气隙区域(9),气隙区域具有特定的高度。在气隙中创建被定义为栅极电压与气隙高度之比的电场(E)。本发明的特征在于,气隙中所产生的电场具有不小于特定阈值(50000V/cm,100000V/cm,优选地为200000V/cm)的值,其对于电场(E)非常重要,以便影响环境中所含的以及气隙中存在的电荷的分布,并且能够通过在有源层上积累电荷而获得高灵敏度的传感器。
搜索关键词: 用于 检测 测量 环境 电荷 浓度 传感器 对应 用途 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于检测和/或测量环境中所含电荷的浓度的传感器,所述传感器包括场效应晶体管结构,场效应晶体管结构包括形成栅极并悬在有源层(10)上方的桥(4),有源层(10)位于漏极(6)与源极(7)区域之间,向桥施加具有特定值的栅极电压,在桥(4)与有源层(10)或沉积在所述有源层上的绝缘层(8)之间含有所谓的气隙区域(9),气隙区域具有特定的高度,在气隙中形成被定义为栅极电压与气隙高度之比的电场E,其特征在于,气隙中所创建的电场具有大于或等于特定阈值的值,其对于电场E足够大,以便影响环境中所含的以及气隙中存在的电荷的分布,并且能够通过在有源层上积累电荷而获得高的传感器灵敏度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于雷恩第一大学,未经雷恩第一大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580029737.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top