[发明专利]电灯和干涉膜无效
申请号: | 200580029894.6 | 申请日: | 2005-08-31 |
公开(公告)号: | CN101015035A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | M·范格鲁特尔;H·范斯普朗;J·马拉 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01K1/32 | 分类号: | H01K1/32;H01J61/35;G02B5/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王庆海;王忠忠 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种电灯,具有在其中设置了光源(2)的透光灯管(1)。灯管的至少一部分具有使可见光辐射通过而反射红外线辐射的干涉膜(5)。该干涉膜或者具有第一多个SiO2和TiO2的交替层,或者具有第二多个SiO2、TiO2和Ta2O5的交替层。通过将相对薄的SiO2隔层插入到TiO2层中使第一多个交替层中的TiO2层的几何厚度最多为75nm,SiO2隔层的几何厚度至少为1nm且最多为7.5nm。通过将相对薄的Ta2O5隔层插入到TiO2层中使第二多个交替层中的TiO2层的几何厚度最多为25nm,Ta2O5隔层的几何厚度至少为1nm且最多为5nm。 | ||
搜索关键词: | 电灯 干涉 | ||
【主权项】:
1.一种电灯,包括:在其中设置了光源(2)的透光灯管(1),灯管(1)的至少一部分具有使可见光辐射通过而反射红外线辐射的干涉膜(5),干涉膜(5)包括第一多个氧化硅和氧化钛的交替层或者包括第二多个氧化硅、氧化钛和氧化钽的交替层,通过将相对薄的氧化硅隔层插入到氧化钛层中使第一多个交替层中的氧化钛层的几何厚度最多为75nm,氧化硅隔层的几何厚度至少为1nm且最多为7.5nm,通过将相对薄的氧化钽隔层插入到氧化钛层中使第二多个交替层中的氧化钛层的几何厚度最多为25nm,氧化钽隔层的几何厚度至少为1nm且最多为5nm。
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