[发明专利]脱除衬底上光刻胶的方法无效
| 申请号： | 200580030001.X | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101015042A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | E·A·埃德尔伯格;R·P·切比;A·F·潘楚拉 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;G03C5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 脱除覆盖无机层的有机光刻胶上富碳层的方法可利用工艺气体，该工艺气体包括含氟气体，含氧气体，和烃气体的，和一种或多种任选的组分以产生有效蚀刻富碳层的等离子体及无机层的脱除较低。富碳层可以在与用于脱除本体光刻胶的相同的加工腔中脱除，或者可以在与用于脱除本体光刻胶不同的加工腔中脱除。 | ||
| 搜索关键词： | 脱除 衬底 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种脱除衬底上有机光刻胶的方法，包括：在等离子体反应器的等离子体加工腔中布置衬底，该衬底包括无机层和覆盖该无机层的有机光刻胶，该光刻胶包括覆盖本体光刻胶的富碳层；提供工艺气体到等离子体加工腔中，该工艺气体包括(i)含氟气体，(ii)含氧气体，和(iii)烃气体；从工艺气体产生等离子体；和相对于无机层选择性等离子体蚀刻富碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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