[发明专利]用于最优化等离子体处理系统中的大气等离子体的装置有效

专利信息
申请号: 200580030305.6 申请日: 2005-08-31
公开(公告)号: CN101023201A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: 金润相;安德拉斯·库蒂 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/509;C23C16/52;C23F1/00;C23C16/503;H01L21/306;C23C16/505;C23C16/452
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种用于在活性离子蚀刻处理过程中清洁衬底的装置。该装置被配置为使用RF发生装置来产生大气等离子体。该装置包括等离子体形成腔,该等离子体形成腔包括由电介质材料组成的一组内腔壁限定的空穴。该装置还包括大气等离子体,该大气等离子体由RF发生装置产生,该大气等离子体从空穴的第一端伸出,以清洁衬底。
搜索关键词: 用于 优化 等离子体 处理 系统 中的 大气 装置
【主权项】:
1.用于在活性离子蚀刻处理过程中清洁衬底的装置,所述装置被配置为通过使用RF发生装置来产生大气等离子体,所述装置包括:等离子体形成腔,包括由电介质材料组成的一组内腔壁限定的空穴;大气等离子体,由所述RF发生装置生成,所述大气等离子体从所述空穴的第一端伸出,以清洁所述衬底。
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