[发明专利]用于电压限制的半导体结构有效
| 申请号： | 200580030713.1 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101019238A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 阿尔弗雷德·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L27/07;H01L27/06;H01L27/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于电压限制的半导体结构。它具有一个第一覆盖电极(4)，一个与第一覆盖电极相连接的、强p掺杂的半导体层(2)，一个与强p掺杂半导体层(2)相连接的、弱n掺杂半导体层(1)，及一个第二覆盖电极(5)。在弱n掺杂半导体层(1)与第二覆盖电极(5)之间并排地交替设有至少一个p掺杂半导体层(6)及两个高n掺杂的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电压 限制 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.用于电压限制的半导体结构，具有一个第一覆盖电极(4)，一个与该第一覆盖电极(4)相连接的、强p掺杂的半导体层(2)，一个与该强p掺杂的半导体层(2)相连接的、弱n掺杂的半导体层(1)，及一个第二覆盖电极(5)，其特征在于：在该弱n掺杂的半导体层(1)与该第二覆盖电极(5)之间并排地交替设有至少一个p掺杂的半导体层(6)和两个高n掺杂的半导体层(3)。
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