[发明专利]场发射辅助微放电器件无效
| 申请号： | 200580030825.7 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101019200A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 朴晟镇;J·加里·伊登;朴璟虎 | 申请（专利权）人： | 伊利诺伊大学受托管理委员会 |
| 主分类号： | H01J1/62 | 分类号： | H01J1/62;H01J1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场发射纳米结构(18)，其辅助微放电器件的工作。该场发射纳米结构被集成到微放电器件中或被定位在微放电器件的电极(14，16，36，38)的附近。与没有场发射纳米结构的其他相同的器件相比，该场发射纳米结构降低了工作和启动电压，同时也增加了微放电器件的辐射输出。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辅助 放电 器件 | ||
【主权项】：
1、一种微放电器件，包括：含有放电介质的微放电凹腔(10，30)；接触所述放电介质的阴极(14，36，38)；与所述阴极电隔离且相对于所述阴极和放电介质设置的的阳极(16，36，38)，从而当激励施加到所述阳极和阴极时所述阳极和所述阴极激发从放电介质的发射；设置在所述阴极上或其附近的场发射纳米结构(18)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊利诺伊大学受托管理委员会，未经伊利诺伊大学受托管理委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580030825.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
