[发明专利]半导体激光元件及半导体激光元件阵列无效

专利信息
申请号: 200580030931.5 申请日: 2005-09-13
公开(公告)号: CN101019284A 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 王浟;宫岛博文;渡边明佳;菅博文 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体激光元件(3)具有n型包层(13)、活性层(15)及p型包层(17)。p型包层(17)具有在活性层(15)中形成波导管(4)的脊形部(9)。波导管(4)沿着以大致一定的曲率(曲率半径R)弯曲的中心轴线(B)延伸。在这样的波导管(4)中,在波导管(4)内共振的光中的空间横向模式的次数越高的光损失就越大。因此,可以维持横向低次模式的激光振荡而抑制横向高次模式的激光振荡。由此实现了可以使较大强度的激光出射而抑制横向高次模式的半导体激光元件及半导体激光元件阵列。
搜索关键词: 半导体 激光 元件 阵列
【主权项】:
1.一种半导体激光元件,其特征在于:具有:第1导电型包层;第2导电型包层;在所述第1导电型包层与第2导电型包层之间设置的活性层;相互面对的光出射面及光反射面;在所述活性层中构成的,在所述光出射面与所述光反射面之间使激光共振的波导管,所述波导管沿着弯曲的轴线延伸。
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