[发明专利]电子开关设备，尤其是断路器，及其相关操作方法有效
| 申请号： | 200580030974.3 | 申请日： | 2005-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101019318A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 莱因哈德·梅尔;于尔根·鲁普;迈克尔·施罗克 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H03K17/0814 | 分类号： | H03K17/0814 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张亮 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 已知一种由两个碳化硅JFET(1，1′)和两个硅MOSFET(2，2′)构成的反向串联共射－共基电路。本发明涉及一种由所述JFET(1，1′)与一被称为智能功率MOSFET的SPM(20)和一与所述SPM(20)并联且带有附属控制电路(30)的晶闸管(9)构成的组合，其中，由一逻辑电路(10)协调功能顺序。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 开关设备 尤其是 断路器 及其 相关 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子开关设备，尤其是一种电子断路器，其能实现以下开关功能：瞬时接通，必要时也可相控接通，电流过零时瞬时正常断开，也就是既在正常工作条件下也在过载情况下，作为短路保护的即时断开，包括过载保护、必要时的支路过载保护和过压保护，带有隔离控制、隔离状态信息和在开关电位上供电，其特征在于，一SiC-JFET(1，1′)与一MOSEFT(2，2′；20)以及至少一个晶闸管(9)的组合，所述MOSFET为一所谓SMP(智能功率MOSFET)，其中，所述晶闸管(9)与所述SPM(20)并联连接，为所述SiC-JFET(1，1′)、SPM(20)以及带有并联连接晶闸管(9)的组合分配一逻辑电路(10)。
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