[发明专利]曝光装置、曝光方法以及器件制造方法有效
| 申请号： | 200580031061.3 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101019209A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 水谷刚之 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种曝光装置，其具备：喷嘴构件(70)，具有供给液体(LQ)的供给口(12)以及回收液体(LQ)的回收口(22)中的至少一者；和喷嘴调整机构(80)，根据衬底(P)的位置或姿势调整喷嘴构件(70)的位置以及倾斜中的至少任意一者。曝光装置在衬底(P)上形成液体(LQ)的浸液区域，隔着浸液区域的液体(LQ)对衬底(P)进行曝光。由此，可以将液体良好地保持在投影光学系统与衬底之间，进行高精度的曝光处理。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，隔着浸液区域的液体对衬底进行曝光，其特征在于，具备：喷嘴构件，具有供给上述液体的供给口以及回收上述液体的回收口中的至少一者；和喷嘴调整机构，根据与上述喷嘴构件相对配置的物体的表面位置，调整上述喷嘴构件的位置以及倾斜中的至少一者。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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