[发明专利]导电金属陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 200580031129.8 | 申请日: | 2005-07-13 |
公开(公告)号: | CN101023194A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | B·P·布莱;B·A·克努森;J·A·布鲁尔;J·S·瓦图利;D·J·达尔普;M·拉曼 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | C22C29/12 | 分类号: | C22C29/12;C22C1/05;C04B35/443;H01H1/021;H01H11/04;H01K3/02;H01B1/16;H01B1/08;H01J61/36;C04B35/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 周铁;段晓玲 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种导电金属陶瓷,包含至少一种分散在至少一种高熔点氧化物基质中的过渡金属元素,高熔点氧化物选自由氧化钇、氧化铝、石榴石、镁铝氧化物及其组合组成的组;其中至少一种过渡金属元素的量少于金属陶瓷总体积的15体积%。一种装置包括上述导电金属陶瓷。 | ||
搜索关键词: | 导电 金属陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种导电金属陶瓷,包含至少一种分散在至少一种高熔点氧化物基质中的过渡金属元素,所述高熔点氧化物选自由氧化钇、氧化铝、石榴石、镁铝氧化物及其组合组成的组;其中所述至少一种过渡金属元素的数量少于金属陶瓷总体积的15体积%。
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