[发明专利]导电金属陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200580031129.8 申请日: 2005-07-13
公开(公告)号: CN101023194A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: B·P·布莱;B·A·克努森;J·A·布鲁尔;J·S·瓦图利;D·J·达尔普;M·拉曼 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: C22C29/12 分类号: C22C29/12;C22C1/05;C04B35/443;H01H1/021;H01H11/04;H01K3/02;H01B1/16;H01B1/08;H01J61/36;C04B35/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 周铁;段晓玲
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种导电金属陶瓷,包含至少一种分散在至少一种高熔点氧化物基质中的过渡金属元素,高熔点氧化物选自由氧化钇、氧化铝、石榴石、镁铝氧化物及其组合组成的组;其中至少一种过渡金属元素的量少于金属陶瓷总体积的15体积%。一种装置包括上述导电金属陶瓷。
搜索关键词: 导电 金属陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种导电金属陶瓷,包含至少一种分散在至少一种高熔点氧化物基质中的过渡金属元素,所述高熔点氧化物选自由氧化钇、氧化铝、石榴石、镁铝氧化物及其组合组成的组;其中所述至少一种过渡金属元素的数量少于金属陶瓷总体积的15体积%。
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