[发明专利]有机铁电体或永电体存储电路及其制造方法无效
| 申请号： | 200580031320.2 | 申请日： | 2005-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101023493A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | R·利尔杰达尔;M·桑德伯格;G·古斯塔夫森;H·G·古德森 | 申请（专利权）人： | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;陈景峻 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 挪威;NO |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在有机电子电路(C)中，具体地说是具有有机铁电体或永电体材料(2)的存储电路，活性材料包括氟原子并由各种有机材料组成。活性材料位于第一电极和第二电极之间。具有类似电容器结构的单元定义在活性材料中，并可通过第一和第二电极被访问进行寻址操作。这些电极(1a，1b)中的至少一个包括化学修改的金层。在无源矩阵可寻址电子器件中，具体地说是铁电体或永电体存储器件，此类具有活性材料作为铁电体或永电体存储材料的电路(C)形成矩阵可寻址阵列的元素，并定义设置在第一和第二组寻址电极之间的存储单元。至少一组电极然后包括至少一个金层。一种制造有机电子电路(C)的方法，该方法包括如下步骤：沉积一个金层作为至少一个电极的至少一层，并化学处理这层的暴露表面，之后活性材料层可沉积在此电极加工过的表面顶上。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 铁电体 永电体 存储 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机电子电路(C)，具体地说是存储电路，具有有机铁电体或永电体活性材料(2)，其中所述活性材料包括氟原子，并由单分子、齐聚物、同聚物、共聚物、或它们的混合物或化合物组成，其中所述活性材料与第一电极(1a)和第二电极(1b)接触，由此具有类似电容器结构的单元定义在所述有机活性材料中，并可通过所述电极(1a，1b)被直接或间接电访问，其特征在于：至少一个所述电极(1a，1b)包括由碘化学修改的至少一个金层，所述碘至少设置在对接所述有机活性材料的金层表面中或上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于薄膜电子有限公司，未经薄膜电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580031320.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
