[发明专利]电通路连接和关联的接触部件以及它们的制造方法无效

专利信息
申请号: 200580031326.X 申请日: 2005-07-18
公开(公告)号: CN101023526A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: R·利尔杰达尔;G·古斯塔夫森 申请(专利权)人: 薄膜电子有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;G11C11/22;H01L21/28;H01L51/05
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;张志醒
地址: 挪威*** 国省代码: 挪威;NO
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在有机电子电路,具体地说是存储电路中,提供一种电通路连接和关联的接触部件,与包含各种有机化合物的活性有机介电材料层对接。通路连接是提供在延伸过活性介电材料的通路开口中,并与其两侧的第一和第二电接触部件连接。第二接触部件包含直接沉积在活性介电层上的第一层化学惰性和不反应导电材料、以及作为第一层之上的第二层并在向下至第一接触部件的通路开口中提供的导电材料,创建穿过活性介电层的通路连接并连接第一和第二接触部件。在制造这种电通路连接和此类关联的接触部件的方法中,将第二接触部件中的第一层沉积在活性介电层上。第一层由化学惰性和不反应导电材料组成。通路开口形成为穿过第二接触部件的活性介电层,第二接触部件由沉积在第一层之上和通路开口中的导电材料组成,以建立通过它们的期望通路连接。
搜索关键词: 通路 连接 关联 接触 部件 以及 它们 制造 方法
【主权项】:
1.一种在有机电子电路中,具体地说是存储电路中的电通路连接和关联的接触部件,其中活性有机介电材料层包含单分子、齐聚物、同聚物、共聚物、或它们的混合物或化合物,其中所述通路连接提供在延伸过所述活性介电层的通路开口中,并与分别提供在所述活性介电层两侧上的第一和第二电接触部件连接,并且其中第一接触部件提供在所述层的底部表面,且第二接触部件提供在所述层的相对或顶部表面,其特征在于:第二接触部件包含:第一层化学惰性和不反应导电材料,直接沉积在所述活性有机介电层上;以及第二层导电材料,整体提供在第一层上和向下至第一接触部件的所述通路开口中,由此在所述第一和第二接触部件之间的所述通路连接延伸过所述活性有机介电层,并与所述第二接触部件的第二层成为整体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于薄膜电子有限公司,未经薄膜电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580031326.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top