[发明专利]高迁移率块体硅p沟道场效应晶体管有效
| 申请号： | 200580031434.7 | 申请日： | 2005-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101023530A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·A.·安德森;路易斯·D.·兰泽罗蒂;爱德华·J.·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/32;H01L29/739;H01L21/3213;H01L29/76;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种场效应晶体管(100)和制造该场效应晶体管的方法。所述场效应晶体管包括在栅电介质层(155)上表面(170)上形成的栅电极(165)，所述栅电介质层位于单晶硅沟道区(110)的上表面(160)上，所述单晶硅沟道区位于锗包含层(135)的上表面上，所述锗包含层位于单晶硅衬底(150)的上表面上，所述锗包含层位于单晶硅衬底的上表面上的第一电介质层(215A)和第二电介质层(215B)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移率 块体 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：在栅电介质层上表面上形成的栅电极，所述栅电介质层位于单晶硅沟道区的上表面上，所述单晶硅沟道区位于锗包含层的上表面上，所述锗包含层位于单晶硅衬底的上表面上，所述锗包含层位于所述单晶硅衬底的所述上表面上的第一电介质层和第二电介质层之间。
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