[发明专利]表面波等离子体处理系统和使用方法有效
| 申请号： | 200580031574.4 | 申请日： | 2005-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101023505A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈立;田才忠;松本直树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J7/24 | 分类号： | H01J7/24;H05B31/26 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种SWP源包括电磁(EM)波发射器，所述电磁波发射器被配置为通过在与等离子体相邻的EM波发射器的等离子体表面上生成表面波来将EM能量以期望的EM波模式耦合到等离子体。功率耦合系统耦合到EM波发射器，并且被配置为将EM能量提供到EM波发射器以形成等离子体。耦合到EM波发射器的等离子体表面的盖片保护EM波发射器免受等离子体的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 等离子体 处理 系统 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面波等离子体(SWP)源，包括：电磁(EM)波发射器，所述电磁波发射器被配置为通过在与所述等离子体相邻的所述EM波发射器的等离子体表面上生成表面波来将EM能量以期望的EM波模式耦合到所述等离子体；以及功率耦合系统，所述功率耦合系统耦合到所述EM波发射器，并且被配置为将所述EM能量提供到所述EM波发射器以形成所述等离子体；以及盖片，所述盖片耦合到所述EM波发射器的所述等离子体表面，并且被配置为保护所述EM波发射器免受所述等离子体的影响。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580031574.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
