[发明专利]双极性互补金属氧化物半导体技术中形成集电极的方法有效
| 申请号： | 200580031621.5 | 申请日： | 2005-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101432892A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 皮特·J.·盖斯;皮特·B.·格雷;阿尔文·J.·约瑟夫;刘奇志 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于高速BiCMOS应用的异质双极型晶体管(HBT)，其中通过在器件的子集电极上浅槽隔离区下面提供隐埋耐熔金属硅化物层来降低集电极阻抗Rc。具体地，本发明的HBT包括：包含至少一个子集电极(13)的衬底(12)；位于子集电极上的隐埋耐熔金属硅化物层(28)；以及位于隐埋耐熔金属硅化物层的表面上的浅槽隔离区(22)。本发明也提供制造这种HBT的方法。该方法包括在器件的子集电极上浅槽隔离区下面形成隐埋耐熔金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 互补 金属 氧化物 半导体 技术 形成 集电极 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种异质双极型晶体管，包括：包括至少一个子集电极的衬底；位于子集电极上的隐埋耐熔金属硅化物层；以及位于所述隐埋耐熔金属硅化物层的表面上的浅槽隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
