[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200580031629.1 | 申请日： | 2005-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101023515A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 宫博信;野田孝晓;水野谦和;境正宪;佐藤武敏 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理装置，包括：处理室(201)；保持部件(217)；加热部件(207)；向处理室内交替供给第1和第2反应物质的供给部件(232a、232b)；供给第1反应物质，使第1反应物质吸附于衬底上后，除去剩余的第1反应物质，接着，供给第2反应物质，使第2反应物质与吸附于衬底上的第1反应物质发生反应，从而在衬底上形成薄膜；还具有控制部，在保持部件所保持的产品用衬底的张数未达到保持部件能保持的产品用衬底的最大保持张数时，在产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，包括：处理室；在上述处理室内至少保持多个产品用衬底的保持部件；对上述衬底进行加热的加热部件；向上述处理室内交替供给至少第1和第2反应物质的供给部件；开口于上述处理室的排气口；以及控制部，上述控制部，实施如下处理：将上述第1反应物质供给到上述处理室内，使上述第1反应物质吸附于上述保持部件所保持的上述产品用衬底上后，从上述处理室内除去剩余的上述第1反应物质，接着，将上述第2反应物质供给到上述处理室内，使上述第2反应物质与吸附于上述衬底上的上述第1反应物质发生反应，由此在衬底上形成薄膜，在上述保持部件所保持的上述产品用衬底的张数未达到上述保持部件能保持的上述产品用衬底的最大保持张数时，使得在上述产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的上述处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气，未经株式会社日立国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580031629.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
