[发明专利]发光装置工艺无效
| 申请号： | 200580031725.6 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101048855A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 亚历克斯易·A·尔恰克;迈克尔·利姆;斯科特·W·邓肯;约翰·W·格拉夫;米兰·S·明斯克;马特·韦格 | 申请（专利权）人： | 发光装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/306;H01L21/302;H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹洪波 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 揭露了形成发光装置的方法，包括将发光堆叠(2002、2004、2006)刻画入台面结构、通过结合层2040将该结构结合至子基座2042，以及去除该生长基底。此外，揭露了刻画发光装置台面(2006)的方法，所述方法通过使用模具来压印抗蚀材料，或者通过将自组装纳米颗粒用作掩膜而达成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：设置包括基底、半导体层及量子阱包含区域的多层堆叠；蚀刻所述量子阱包含区域的至少一部分以设置已蚀刻多层堆叠，所述多层堆叠包括多个由所述基底支撑的台面；将所述已蚀刻多层堆叠结合至子基座；及移除所述基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
